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型号 SI4532CDY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532CDY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4532CDY-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A，4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 47 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 305pF @ 15V
功率 - 最大 2.78W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOIC（窄型）
包装 标准包装
其它名称 SI4532CDY-T1-GE3DKR
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